골레타, 캘리포니아 & 신주, 대만--(뉴스와이어)--고신뢰성, 고성능 질화갈륨(GaN) 전력 변환 제품의 선구자이자 글로벌 공급업체인 트랜스폼(나스닥: TGAN)과 어댑터 USB 전력 공급(PD) 컨트롤러 직접 회로(ICs)의 글로벌 리더인 웰트렌드 반도체(TWSE: 2436)가 오늘 첫 GaN SiP 출시를 발표했다.

WT7162RHUG24A는 스마트폰, 태블릿, 랩탑 및 기타 스마트 장치를 충전하는 45~100와트 USB-C PD 전원 어댑터에 사용하도록 설계된 집적 회로로써 93% 이상의 최대 전력 효율을 제공한다. 장치 샘플은 2023년 2분기에 사용 가능할 예정이다.

이번 발표는 신제품 출시 외에도 웰트렌드의 또 다른 주요 성과이다. 이 새로운 GaN SiP는 이제 트랜스폼의 SuperGaN® 기술을 사용하여 완벽한 시스템 솔루션을 제공하므로 AC-DC 전력 시장에 대한 웰트렌드의 노력을 입증한다. 트랜스폼으로서는 GaN 장치의 인터페이스 용이성과 우수한 성능을 검증하는 또 다른 핵심적인 증명이 될 수 있다.

트랜스폼은 2023년도 응용전력전자 컨퍼런스(APEC) 부스 #853에서 웰트렌드 SiP를 처음으로 선보일 예정이다. 양사는 이벤트 기간 동안 관련 WTDB_008 65W USB PD 전원 어댑터 평가 보드에 대한 세부 정보도 공개할 예정이다.

웰트렌드의 사장인 토니 린(Tony Lin)은 “WT7162RHUG24A는 트랜스폼 GaN을 사용하여 공개적으로 발표된 업계 최초의 SiP이다. 이를 통해 제조업체는 더 적은 구성 요소가 필요하고 더 작은 PCB를 사용할 수 있다는 점에서 더 저렴한 시스템 솔루션을 개발할 수 있다. 또한, 시스템 개발 시간도 단축된다. 우리는 이를 통해 어댑터 제조업체의 설계 장벽을 효과적으로 제거하고 있다. 특히 이 제품은 웰트렌드를 새로운 시장으로 진출할 수 있게 해주며 웰트렌드의 PWM 컨트롤러를 위한 최초의 SiP로 대량 성장 부문을 지원하겠다는 우리의 약속을 입증한다. 또한, GaN FET 통합으로 성능 출력 수준을 높여서 웰트렌드, 트랜스폼 및 상호 공통 고객을 위한 승리라고 할 수 있다”라고 말했다.

트랜스폼의 사장 겸 최고운영책임자인 프리미트 파리크(Primit Parikh)는 “어댑터 고속 충전기 시장은 오늘날 GaN 채택이 빠르게 성장하고 있는 분야이다. 우리는 시장 점유율을 확보하고 있으며 가장 최근에는 GaN 장치를 훨씬 더 쉽게 사용할 수 있도록 해주는 이 GaN SiP로 혁신을 계속하고 있다. 업계를 선도하는 SuperGaN 플랫폼을 웰트렌드의 혁신적인 어댑터 전원 컨트롤러 기술과 통합하게 되어 기쁘다. 웰트렌드는 양사가 이 시장에서 더 큰 승리를 거두는 것을 가속화하는 데 도움이 되는 어댑터/급속 충전기 고객을 위해 사용하기 쉬운 솔루션을 생성하는 선도적인 전력 변환 플랫폼을 제공했다”라고 말했다.

WT7162RHUG24A 사양 및 기능

새로운 SiP는 웰트렌드의 WT7162RHSG08 다중 모드 플라이백 PWM 컨트롤러를 트랜스폼의 240밀리옴, 650볼트 SuperGaN® FET와 통합한다. 표면 실장 장치는 24핀 8x8 QFN 패키지로 제공되어 PCB 크기를 줄인다. 기타 주요 사양은 다음과 같다.

· 피크 전력 효율: > 93%

· 전력 밀도: 26W/in삼

· 폭넓은 출력 전압 작동: USB-C PD 3.0 및 PPS 3.3V~21V

· 최대 주파수: 180kHz

· 대상 토폴로지: QR 모드/밸리 스위칭 다중 모드 작동의 플라이백

주요 특징은 다음과 같다.

표의 내용은 pdf 참조. 다운로드: https://bit.ly/3SHTWvS

대상 애플리케이션 및 가용성

WT7162RHUG24A SiP는 스마트폰, 태블릿, 노트북, 헤드폰, 드론, 스피커, 카메라 등과 같은 모바일/IoT 장치용 고성능, 로우 프로파일 USB-C 전원 어댑터에 사용하도록 최적화되었다.

장치를 샘플링하려면 sales@weltrend.com.tw에 문의하여 가용성 업데이트를 알아볼 수 있다.

트랜스폼 정보

GaN 혁명의 글로벌 리더인 트랜스폼은 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 고성능 및 고신뢰성 GaN 반도체를 설계 및 제조한다. 1,000개 이상의 소유 또는 라이선스 특허로 구성된 가장 큰 Power GaN IP 포트폴리오 중 하나를 보유하고 있는 트랜스폼은 업계 최초의 JEDEC 및 AEC-Q101 인증 고전압 GaN 반도체 장치를 생산한다. 회사의 수직적으로 통합된 장치 비즈니스 모델은 설계, 제조, 장치 및 응용 프로그램 지원과 같은 모든 개발 단계에서 혁신을 가능하게 한다. 트랜스폼의 혁신은전력 전자 장치를 실리콘의 한계를 초월하여 99% 이상의 효율성, 40% 이상의 전력 밀도 및 20% 더 낮은 시스템 비용을 달성하도록 한다. 트랜스폼은 캘리포니아 골레타에 본사를 두고 있으며 일본 골레타와 아이즈에서 제조 시설을 운영하고 있다. 자세한 내용은 www.트랜스폼usa.com을 방문한다. Twitter에서는 @transformusa를 팔로우하고 WeChat명은 @ Transphorm_GaN이다.

웰트렌드 반도체 정보

1989년 “대만의 실리콘 밸리”인 신주공업단지에 설립된 웰트렌드 반도체(TWSE: 2436)는 전원 공급 장치, 모터 제어, 이미지 처리 등 여러 응용 분야의 신호/디지털 IC 제품 계획, 설계, 테스트, 응용 프로그램 개발 및 유통을 전문으로 하는 선도적인 팹리스 반도체 회사이다. 자세한 내용은 www.weltrend.com을 방문하여 알아볼 수 있다.

SuperGaN 마크는 Transphorm, Inc.의 등록 상표이다. 기타 모든 상표는 해당 소유자의 재산이다.

본 보도자료는 해당 기업에서 원하는 언어로 작성한 원문을 한국어로 번역한 것이다. 그러므로 번역문의 정확한 사실 확인을 위해서는 원문 대조 절차를 거쳐야 한다. 처음 작성된 원문만이 공식적인 효력을 갖는 발표로 인정되며 모든 법적 책임은 원문에 한해 유효하다.